反应离子刻蚀相关论文
为了获得适宜的温度,通常建筑在用空调制冷,带来高的能耗、温室效应及臭氧层空洞等一系列的能源和环境问题。因此急需开发一种能耗......
随着半导体制造工艺的飞速发展,集成电路工艺尺寸越来越小,硅片有效面积寸土寸金,深槽隔离技术开始被广泛应用于特殊器件的隔离工......
近年来,随着半导体集成电路（IC）产业的快速发展,微纳加工技术受到了前所未有的关注。作为一项十分关键的微纳加工技术,反应离子刻蚀（R......
太阳能热光伏电池光能利用率的理论上限很高,但实际效率很低。这是由于热光伏（TPV）系统中热辐射器的发射光谱与光伏电池的吸收光谱间......
碳纳米管（CNTs）从问世那一刻起,就吸引了全世界科学家的广泛关注。它具有很多独特的性能,比如一维纳米结构,优异的电学、化学和力学......
基于4H-SiC材料的微机电系统（MEMS）器件（如压力传感器、微波功率半导体器件等）在制造过程中，需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加......
实验研制了针对波长248 nm KrF准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术,在双面抛光的石英基片上以CHF3/O2......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
提出、设计并采用激光直写和反应离子刻蚀技术制作出一种新型的衍射光学纯相位型二维激光扫描器，并进行了系统参数的实验测试，其扫描......
亚波长光栅具有特殊的反射特性,可以用于各种光器件的设计。利用时域有限差分方法(FDTD)和散射矩阵方法计算了亚波长介质光栅的能......
针对微加工工艺引起的微机械梳齿谐振器可靠性问题进行了仿真分析。包括:深反应离子刻蚀工艺造成梳齿与弹性支撑梁侧壁倾斜对驱动......
本文基于微细加工技术中的深反应离子刻蚀(DRIE)技术设计了一款中心频率在0.355THz的E面3d B四分支矩形波导定向耦合器。利用奇偶......
采用严格耦合波分析方法研究了长波红外波段锗基底的圆柱形周期阵列仿生蛾眼抗反射微结构的衍射特性,并进行理论分析和模拟仿真验......
结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤......
通过一系列的刻蚀实验,研究了在反应离子刻蚀(RIE)过程中,CF4流量及射频功率等工艺参数对刻蚀硅基材料的影响,采用不同工艺条件,得......
相变存储器(Phase Change Random Access Memory,PCRAM)是一种具有优良性能的新型非易失性存储技术,具有良好的应用前景。相变材料......
近几年金刚线切割技术使单晶硅电池大大降低了与多晶硅电池成本差距。由于采用金刚线切割多晶硅片在清洗制绒技术环节存在技术瓶颈......
为了优化单晶铌酸锂薄膜光波导的性能,研究了基于单晶铌酸锂薄膜材料的光波导刻蚀工艺.虽然Ar+物理刻蚀能够达到最高95 nm/min的刻......
制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀.研究了刻蚀功率对刻蚀时间......
铌酸锂脊形波导最近引起了广泛研究兴趣,它通常采用刻蚀钛扩散或质子交换铌酸锂条形波导或平板波导的方法制作而成。对由这两种方......
该文采用化学溶液分解法（CSD）,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料制备了掺镧的BiTiO薄膜.希望通过掺镧进一步改进BiTiO薄膜的质量.......
基于原子力显微镜（Atomic Force Microscope，AFM）的机械刻划是一种加工纳米结构的有效方法，学者们运用该加工方式已经在多种材料如聚合......
近年来随着微流体系统的不断发展,人们致力于研究微流体系统的减阻措施。与宏观系统不同的是微流体系统的阻力主要来源于流体与壁......
随着人们对宽带通信容量不断增长的需求，传统的无线微波通信已经不能满足现代信息传输对带宽的要求。由于光的频率和带宽都比微波射......
能源的紧缺和环境的严重污染迫使人们寻找一种新型的清洁、无污染并且可再生的能源。太阳能电池的出现在一定程度上满足了这种对新......
偶次缺级编码型二值相位光栅是一种偶次衍射级相互抵消的特殊的光学分束器件,所得光束阵列为偶数,具有衍射效率高、且阵列光强度均......
传统相控阵雷达受孔径效应和孔径渡越时间的限制,难以在大的扫描角下实现较大的瞬时带宽,将光波导延时线应用于相控阵雷达,便可以......
硅基薄膜太阳能电池以成本低、无毒、材料丰富等优势,已经成为晶硅电池发展的主流方向。但是,硅吸收层厚度的减少导致电池的光电转......
硅纳米线阵列因其独特的电传输性质和优良的光吸收特性，从而在太阳能电池制造领域得到了广泛的应用。通过采用反应离子刻蚀和金属催......
硅纳米线由于其特有的半导体、机械性能、光电特性，日益成为人们研究的重点。目前在场效应晶体管、生物及化学传感器、集成逻辑电路......
纳米粒子的粒径及尺寸强烈影响着其在化学、生物、电子器件等方面的应用，当粒径小于100nm时，其光学、电学及磁学特性强烈依赖粒子尺......
随着MEMS技术的迅速发展,人们制造出许多的MEMS器件,但是如何给MEMS器件提供电能成为目前亟待解决的问题。因为传统的电源结构尺寸......
本文首先介绍了半导体中的基本光学过程，着重分析了能带带间包括带尾之间的跃迁、晶格振动和喇曼（Raman）散射特性，简介了研究样品的测......
本文主要内容为半导体材料碲化锌（ZnTe）晶体中太赫兹（THz）辐射研究。借助泵浦-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的THz辐射，利用ZnT......
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分......
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体......
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻......
在平行板反应离子刻蚀系统的圆筒形腔体的侧壁上绕上电流线圈后,系统中的磁场强度和均匀性都可进行调节.本文根据螺线管线圈内部磁......
高密度、图形规则的硅点阵结构由于其独特的光电性能具有广泛的应用前景。本文介绍了一种以低压压印结合反应离子刻蚀制备硅点阵的......
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列项部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发......
高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需......
主要研究了不同的反应离子刻蚀条件 (氧基工作气体、刻蚀功率、工作气压等 )下所获得的不同刻蚀效果。当以O2 /CHF3 作为工作气体......
反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法。研究了用O2 及与Ar的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数 (射频功......
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了......
